SSM6L35FU(TE85L,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SSM6L35FU(TE85L,F) - 

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6

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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU(TE85L,F)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SSM6L35FU(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM6L35FU(TE85LF)CT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SSM6L35FU(TE85L,F)产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  US6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3 欧姆 @ 50mA,4V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  180mA,100mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  9.5pF @ 3V  
  FET 功能  逻辑电平栅极,1.2V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  200mW  
关键词         

产品资料
数据列表 SSM6L35FU
标准包装 1
其它名称 SSM6L35FU(TE85LF)CT

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