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SSM6J206FE(TE85L,F - 

MOSFET P-CH 20V 2A ES6

  • 增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE(TE85L,F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SSM6J206FE(TE85L,F
仓库库存编号:
SSM6J206FE(TE85LFCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) ES6(1.6x1.6)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SSM6J206FE(TE85L,F产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563,SOT-666  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  ES6(1.6x1.6)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  130 毫欧 @ 1A,4V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  1.8V,4V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  2A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  335pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  500mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 SSM6J206FE(TE85LFCT

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