2SK208-R(TE85L,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - JFET
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2SK208-R(TE85L,F) - 

MOSFET N-CH 50V S-MINI

  • 增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-R(TE85L,F)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
2SK208-R(TE85L,F)
仓库库存编号:
2SK208-R(TE85LF)CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 50V S-MINI
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET N-Channel 300μA @ 10V 100mW Surface Mount S-Mini
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

2SK208-R(TE85L,F)产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  125°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  S-Mini  
  FET 类型  N 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  8.2pF @ 10V  
  Power - Max  100mW  
  不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)  300μA @ 10V  
  不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)  400mV @ 100nA  
  电阻 - RDS(开)  -  
关键词         

产品资料
数据列表 2SK208
标准包装 1
其它名称 2SK208-R(TE85LF)CT

2SK208-R(TE85L,F)您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

2SK208-R(TE85L,F)相关搜索

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - JFET 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装   工作温度 125°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 125°C(TJ)  晶体管 - JFET 工作温度 125°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 工作温度 125°C(TJ)   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 系列 -   包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)   晶体管 - JFET 包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 包装 剪切带(CT)    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - JFET 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 S-Mini  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 S-Mini  晶体管 - JFET 供应商器件封装 S-Mini  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 供应商器件封装 S-Mini   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8.2pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8.2pF @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8.2pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8.2pF @ 10V   Power - Max 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 100mW  晶体管 - JFET Power - Max 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET Power - Max 100mW   不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 300μA @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 300μA @ 10V  晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 300μA @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 300μA @ 10V   不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 400mV @ 100nA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 400mV @ 100nA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 400mV @ 100nA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 400mV @ 100nA   电阻 - RDS(开) -  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻 - RDS(开) -  晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号