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• 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。

产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型	表面贴装
工作温度	125°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	S-Mini
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 1mA，6V
频率 - 跃迁	550MHz
功率 - 最大值	100mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	30V
增益	23dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	2.5dB @ 100MHz
关键词

产品资料

数据列表	2SC2714
标准包装	1
其它名称	2SC2714-Y(TE85LF)CT

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 125°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 125°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 125°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 125°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 S-Mini  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 S-Mini  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 S-Mini  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 S-Mini   晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，6V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，6V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，6V   频率 - 跃迁 550MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 550MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 550MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 550MHz   功率 - 最大值 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 100mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 100mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 100mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V   增益 23dB  Toshiba Semiconductor and Storage 增益 23dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 23dB  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 23dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2.5dB @ 100MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2.5dB @ 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2.5dB @ 100MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2.5dB @ 100MHz