2SA1312GRTE85LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2SA1312GRTE85LF - 

TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
2SA1312GRTE85LF
仓库库存编号:
2SA1312GRTE85LFCT-ND
描述:
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount S-Mini
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

2SA1312GRTE85LF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  125°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  S-Mini  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  200 @ 2mA,6V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  120V  
  Power - Max  150mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 1mA,10mA  
  频率 - 跃迁  100MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 2SA1312
标准包装 1
其它名称 2SA1312GRTE85LFCT

2SA1312GRTE85LF相关搜索

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 125°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 125°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 125°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 125°C(TJ)   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 S-Mini  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 S-Mini  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 S-Mini  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 S-Mini   晶体管类型 PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V  Toshiba Semiconductor and Storage Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V   Power - Max 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage Power - Max 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150mW   电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 1mA,10mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 1mA,10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 1mA,10mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 1mA,10mA   频率 - 跃迁 100MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号