1SV304TPH3F,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

1SV304TPH3F - 

DIODE VARACTOR 10V USC

Toshiba Semiconductor and Storage 1SV304TPH3F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
1SV304TPH3F
仓库库存编号:
1SV304TPH3FCT-ND
描述:
DIODE VARACTOR 10V USC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Varactor Single 10V Surface Mount USC
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

1SV304TPH3F产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-76,SOD-323  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  125°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  USC  
  二极管类型  单一  
  不同?Vr,F 时的电容  6.6pF @ 4V,1MHz  
  电压 - 峰值反向(最大值)  10V  
  电容比  3  
  电容比条件  C1/C4  
  不同 Vr,F 时的 Q 值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 1SV304
标准包装 1
其它名称 1SV304FCT
1SV304FCT-ND
1SV304TPH3FCT

1SV304TPH3F相关搜索

封装/外壳 SC-76,SOD-323  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SC-76,SOD-323  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 SC-76,SOD-323  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 SC-76,SOD-323   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装   工作温度 125°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 125°C(TJ)  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 125°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 125°C(TJ)   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -   包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)   二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)   Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 在售   供应商器件封装 USC  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 USC  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 USC  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 USC   二极管类型 单一  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管类型 单一  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一   不同?Vr,F 时的电容 6.6pF @ 4V,1MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vr,F 时的电容 6.6pF @ 4V,1MHz  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 6.6pF @ 4V,1MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 6.6pF @ 4V,1MHz   电压 - 峰值反向(最大值) 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 峰值反向(最大值) 10V  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电压 - 峰值反向(最大值) 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电压 - 峰值反向(最大值) 10V   电容比 3  Toshiba Semiconductor and Storage 电容比 3  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 3  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 3   电容比条件 C1/C4  Toshiba Semiconductor and Storage 电容比条件 C1/C4  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C1/C4  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C1/C4   不同 Vr,F 时的 Q 值 -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vr,F 时的 Q 值 -  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 -  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号