TSM60N380CP ROG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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TSM60N380CP ROG
TSM60N380CP ROG -
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
新产品
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号:
TSM60N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N380CP ROGCT-ND
描述:
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TSM60N380CP ROG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
20.5nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
380 毫欧 @ 5.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1040pF @ 100V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
TSM60N380
标准包装
1
其它名称
TSM60N380CP ROGCT
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封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Taiwan Semiconductor Corporation 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20.5nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 380 毫欧 @ 5.5A,10V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 380 毫欧 @ 5.5A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 100V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 100V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 125W(Tc)
Taiwan Semiconductor Corporation 功率耗散(最大值) 125W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 125W(Tc)
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 125W(Tc)
漏源电压(Vdss) 600V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
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