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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-92
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	25 @ 100mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Power - Max	600mW
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA
Current - Collector (Ic) (Max)	300mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.5V @ 20mA，200mA
频率 - 跃迁	4MHz
关键词

产品资料

标准包装	10,000

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 通孔  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-92  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 TO-92  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92   晶体管类型 NPN  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 100mA，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 100mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 100mA，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 100mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  Taiwan Semiconductor Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V   Power - Max 600mW  Taiwan Semiconductor Corporation Power - Max 600mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 600mW  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 600mW   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA   Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  Taiwan Semiconductor Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 300mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 20mA，200mA  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 20mA，200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 20mA，200mA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 20mA，200mA   频率 - 跃迁 4MHz  Taiwan Semiconductor Corporation 频率 - 跃迁 4MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz