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BZD17C11P RQG
BZD17C11P RQG -
DIODE, ZENER, 11V, 800MW, %, SUB
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制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号:
BZD17C11P RQG
仓库库存编号:
BZD17C11P RQG-ND
描述:
DIODE, ZENER, 11V, 800MW, %, SUB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
Zener Diode 800mW ±5.45% Surface Mount Sub SMA
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BZD17C11P RQG产品属性
产品规格
封装/外壳
DO-219AB
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
Sub SMA
容差
±5.45%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
4μA @ 8.2V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.2V @ 200mA
Power - Max
800mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
11V
阻抗(最大值)(Zzt)
7 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
BZD17C Series
标准包装
10,000
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封装/外壳 DO-219AB
Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 DO-219AB
二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-219AB
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-219AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 -
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二极管 - 齐纳 - 单 系列 -
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包装 带卷(TR)
Taiwan Semiconductor Corporation 包装 带卷(TR)
二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷(TR)
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷(TR)
零件状态 在售
Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售
二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 Sub SMA
Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 Sub SMA
二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 Sub SMA
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 Sub SMA
容差 ±5.45%
Taiwan Semiconductor Corporation 容差 ±5.45%
二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5.45%
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5.45%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 4μA @ 8.2V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 4μA @ 8.2V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 4μA @ 8.2V
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 4μA @ 8.2V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 200mA
Taiwan Semiconductor Corporation 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 200mA
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 200mA
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 200mA
Power - Max 800mW
Taiwan Semiconductor Corporation Power - Max 800mW
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 800mW
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 800mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 11V
Taiwan Semiconductor Corporation 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 11V
二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 11V
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 11V
阻抗(最大值)(Zzt) 7 Ohms
Taiwan Semiconductor Corporation 阻抗(最大值)(Zzt) 7 Ohms
二极管 - 齐纳 - 单 阻抗(最大值)(Zzt) 7 Ohms
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