STP23N80K5,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STP23N80K5
STP23N80K5 -
MOSFET N-CH 800V 16A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STP23N80K5
仓库库存编号:
497-16319-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 800V 16A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 16A(Tc) 190W(Tc) TO-220-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STP23N80K5产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
MDmesh? K5
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
33nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
280 毫欧 @ 8A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1000pF @ 100V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
功率耗散(最大值)
190W(Tc)
漏源电压(Vdss)
800V
关键词
产品资料
数据列表
STP23N80K5
标准包装
50
其它名称
497-16319-5
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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