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STN1NK80Z
STN1NK80Z -
MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STN1NK80Z
仓库库存编号:
497-4669-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 250mA(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STN1NK80Z产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
STMicroelectronics
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
SuperMESH??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
7.7nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
16 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
250mA(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
160pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Tc)
漏源电压(Vdss)
800V
关键词
产品资料
数据列表
STx1NK80ZR(R-AP,-1)
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标准包装
1
其它名称
497-4669-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
497-3177-1-ND
别名:497-3177-1
无铅
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STMicroelectronics
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详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN1NK60Z
仓库库存编号:
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别名:497-3523-1
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