关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	PowerMESH??
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	D-Pak
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	22ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	62W
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
测试条件	390V，5A，10欧姆，15V
开关能量	31.8μJ（开），95μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	30A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.5V @ 15V，5A
25°C 时 Td（开/关）值	14.2ns/72ns
栅极电荷	19.2nC
关键词

产品资料

数据列表	STGx10NC60HD
标准包装	1
其它名称	497-8780-1

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 系列 PowerMESH??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 PowerMESH??   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 D-Pak  STMicroelectronics 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak   输入类型 标准  STMicroelectronics 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 22ns  STMicroelectronics 反向恢复时间（trr） 22ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 22ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 22ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 62W  STMicroelectronics Power - Max 62W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 62W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 62W   Current - Collector (Ic) (Max) 20A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A   测试条件 390V，5A，10欧姆，15V  STMicroelectronics 测试条件 390V，5A，10欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 390V，5A，10欧姆，15V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 390V，5A，10欧姆，15V   开关能量 31.8μJ（开），95μJ（关）  STMicroelectronics 开关能量 31.8μJ（开），95μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 31.8μJ（开），95μJ（关）  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 31.8μJ（开），95μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 30A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 30A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 30A   IGBT 类型 -  STMicroelectronics IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，5A  STMicroelectronics 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，5A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，5A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，5A   25°C 时 Td（开/关）值 14.2ns/72ns  STMicroelectronics 25°C 时 Td（开/关）值 14.2ns/72ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 14.2ns/72ns  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 14.2ns/72ns   栅极电荷 19.2nC  STMicroelectronics 栅极电荷 19.2nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 19.2nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 19.2nC