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STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1 -
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STB7NK80Z-1
仓库库存编号:
497-12539-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STB7NK80Z-1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
SuperMESH??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
I2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
56nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.8 欧姆 @ 2.6A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.2A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1138pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
漏源电压(Vdss)
800V
关键词
产品资料
数据列表
ST(B,P)7NK80Z(-1,FP)
其它有关文件
STB7NK80Z-1 View All Specifications
标准包装
1,000
其它名称
497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
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制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 SuperMESH??
STMicroelectronics 系列 SuperMESH??
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 SuperMESH??
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包装 管件
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 I2PAK
STMicroelectronics 供应商器件封装 I2PAK
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技术 MOSFET(金属氧化物)
STMicroelectronics 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.8 欧姆 @ 2.6A,10V
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FET 类型 N 沟道
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1138pF @ 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1138pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 100μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 100μA
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功率耗散(最大值) 125W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 800V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 800V
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