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STB25NM60N
STB25NM60N -
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
STB25NM60N
仓库库存编号:
497-5003-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 600V 21A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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STB25NM60N产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
STMicroelectronics
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
MDmesh? II
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
D2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
84nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
160 毫欧 @ 10.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
21A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2400pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
160W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
STx25NM60N(-1)
标准包装
1
其它名称
497-5003-1
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安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C(TJ)
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系列 MDmesh? II
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 MDmesh? II
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 过期
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 D2PAK
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±25V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 84nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 160 毫欧 @ 10.5A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 50V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 160W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
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