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产品规格

封装/外壳	SC-82A，SOT-343
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-343
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	160 @ 160mA，4V
频率 - 跃迁	1.9GHz
功率 - 最大值	600mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	4.5V
增益	15dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	3.3dB @ 1.8GHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	497-8293 497-8293-1 497-8293-ND

封装/外壳 SC-82A，SOT-343  STMicroelectronics 封装/外壳 SC-82A，SOT-343  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-82A，SOT-343  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-82A，SOT-343   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-343  STMicroelectronics 供应商器件封装 SOT-343  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-343  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-343   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 160mA，4V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 160mA，4V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 160mA，4V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 160mA，4V   频率 - 跃迁 1.9GHz  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 1.9GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.9GHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.9GHz   功率 - 最大值 600mW  STMicroelectronics 功率 - 最大值 600mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 600mW  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 600mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  STMicroelectronics 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 4.5V  STMicroelectronics 电压 - 集射极击穿（最大值） 4.5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 4.5V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 4.5V   增益 15dB  STMicroelectronics 增益 15dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 15dB  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 15dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.3dB @ 1.8GHz  STMicroelectronics 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.3dB @ 1.8GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.3dB @ 1.8GHz  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.3dB @ 1.8GHz