BF420-AP,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BF420-AP
BF420-AP -
TRANS NPN 300V 0.5A TO-92
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
制造商产品编号:
BF420-AP
仓库库存编号:
BF420-AP-ND
描述:
TRANS NPN 300V 0.5A TO-92
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 500mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BF420-AP产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商
STMicroelectronics
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
带盒(TB)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
50 @ 25mA,20V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300V
Power - Max
830mW
电流 - 集电极截止(最大值)
10nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
600mV @ 5mA,30mA
频率 - 跃迁
60MHz
关键词
产品资料
标准包装
2,000
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封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
STMicroelectronics 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
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工作温度 150°C(TJ)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 带盒(TB)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带盒(TB)
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零件状态 过期
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-92-3
STMicroelectronics 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3
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晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 25mA,20V
STMicroelectronics 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 25mA,20V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 25mA,20V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
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Power - Max 830mW
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 830mW
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电流 - 集电极截止(最大值) 10nA(ICBO)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 10nA(ICBO)
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Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 600mV @ 5mA,30mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 60MHz
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