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产品规格

封装/外壳	12-SIP，裸焊盘
制造商	Sanken
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	12-SIP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	250 毫欧 @ 3.5A，10V
FET 类型	6 N-沟道（3 相桥）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	7A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	850pF @ 10V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	250V
功率 - 最大值	4W
关键词

产品资料

数据列表	SMA5117
标准包装	18
其它名称	SMA5117 DK

封装/外壳 12-SIP，裸焊盘  Sanken 封装/外壳 12-SIP，裸焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 12-SIP，裸焊盘  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 12-SIP，裸焊盘   制造商 Sanken  Sanken 制造商 Sanken  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Sanken  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Sanken   安装类型 通孔  Sanken 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Sanken 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Sanken 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 管件   Sanken 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  Sanken 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 12-SIP  Sanken 供应商器件封装 12-SIP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 12-SIP  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 12-SIP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Sanken 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 3.5A，10V  Sanken 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 3.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 3.5A，10V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 3.5A，10V   FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  Sanken FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A  Sanken 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 850pF @ 10V  Sanken 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 850pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 850pF @ 10V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 850pF @ 10V   FET 功能 标准  Sanken FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  Sanken 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 250V  Sanken 漏源电压（Vdss） 250V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 250V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 250V   功率 - 最大值 4W  Sanken 功率 - 最大值 4W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 4W  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 4W