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产品规格

封装/外壳	TO-3P-3 整包
制造商	Sanken
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3PF
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	60W
Current - Collector (Ic) (Max)	30A
测试条件	300V，30A
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	90A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2V @ 15V，30A
25°C 时 Td（开/关）值	130ns/340ns
栅极电荷	120nC
关键词

产品资料

数据列表	General Catalog IGBT's Catalog
标准包装	1,080
其它名称	FGM603 DK

封装/外壳 TO-3P-3 整包  Sanken 封装/外壳 TO-3P-3 整包  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3 整包  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3 整包   制造商 Sanken  Sanken 制造商 Sanken  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Sanken  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Sanken   安装类型 通孔  Sanken 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  Sanken 工作温度 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 -  Sanken 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   Sanken 包装 散装   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装   Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 在售  Sanken 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3PF  Sanken 供应商器件封装 TO-3PF  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PF  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PF   输入类型 标准  Sanken 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Sanken Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 60W  Sanken Power - Max 60W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 60W  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 60W   Current - Collector (Ic) (Max) 30A  Sanken Current - Collector (Ic) (Max) 30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 30A  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 30A   测试条件 300V，30A  Sanken 测试条件 300V，30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，30A  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，30A   开关能量 -  Sanken 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  Sanken Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A   IGBT 类型 -  Sanken IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，30A  Sanken 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，30A  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，30A   25°C 时 Td（开/关）值 130ns/340ns  Sanken 25°C 时 Td（开/关）值 130ns/340ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 130ns/340ns  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 130ns/340ns   栅极电荷 120nC  Sanken 栅极电荷 120nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 120nC  Sanken 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 120nC