UMH5NTR,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

UMH5NTR - 

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Rohm Semiconductor UMH5NTR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
UMH5NTR
仓库库存编号:
UMH5NCT-ND
描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

UMH5NTR产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  UMT6  
  晶体管类型  2 个 NPN 预偏压式(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  56 @ 5mA,5V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  500nA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 500μA,10mA  
  频率 - 跃迁  250MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  22k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  22k  
  功率 - 最大值  150mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 IMH5A, UMH5N
标准包装 1
其它名称 UMH5NCT

UMH5NTR相关搜索

封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  Rohm Semiconductor 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 剪切带(CT)   Rohm Semiconductor 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带(CT)   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带(CT)    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 UMT6  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 UMT6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 UMT6  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 UMT6   晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)  Rohm Semiconductor 晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V   电流 - 集电极截止(最大值) 500nA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 500nA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 500nA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA   频率 - 跃迁 250MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 22k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 22k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 22k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 22k   电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k   功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 150mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号