SP8M70TB1,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SP8M70TB1 - 

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Rohm Semiconductor SP8M70TB1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SP8M70TB1
仓库库存编号:
SP8M70TB1-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 650mW Surface Mount 8-SOP
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SP8M70TB1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  8-SOP  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  5.2nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.63 欧姆 @ 1.5A,10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  3A,2.5A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  180pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  250V  
  功率 - 最大值  650mW  
关键词         

产品资料
数据列表 SP8M70
标准包装 2,500

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