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RTF010P02TL - 

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3

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Rohm Semiconductor RTF010P02TL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
RTF010P02TL
仓库库存编号:
RTF010P02TLCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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RTF010P02TL产品属性


产品规格
  封装/外壳  3-SMD,扁平引线  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  TUMT3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  2.1nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  390 毫欧 @ 1A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  2.5V,4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  1A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  150pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  800mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 RTF010P02TLCT

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