RSR020P05TL,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

RSR020P05TL - 

MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Rohm Semiconductor RSR020P05TL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
RSR020P05TL
仓库库存编号:
RSR020P05TLCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 540mW(Ta) TSMT3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

RSR020P05TL产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-96  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  TSMT3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  4.5nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  190 毫欧 @ 2A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4V,10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  2A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  500pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  540mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  45V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 RSR020P05TLCT

RSR020P05TL您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

RSR020P05TL相关搜索

封装/外壳 SC-96  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SC-96  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-96  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-96   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带(CT)   Rohm Semiconductor 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TSMT3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 TSMT3  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TSMT3  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TSMT3   技术 MOSFET(金属氧化物)  Rohm Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±20V  Rohm Semiconductor Vgs(最大值) ±20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.5nC @ 4.5V  Rohm Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.5nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.5nC @ 4.5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.5nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 2A,10V  Rohm Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 2A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 2A,10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 2A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V  Rohm Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V   FET 类型 P 沟道  Rohm Semiconductor FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)  Rohm Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 500pF @ 10V  Rohm Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 500pF @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 500pF @ 10V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 500pF @ 10V   FET 功能 -  Rohm Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA  Rohm Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA   功率耗散(最大值) 540mW(Ta)  Rohm Semiconductor 功率耗散(最大值) 540mW(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 540mW(Ta)  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 540mW(Ta)   漏源电压(Vdss) 45V  Rohm Semiconductor 漏源电压(Vdss) 45V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 45V  Rohm Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 45V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号