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产品规格

封装/外壳	SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TSMT5
晶体管类型	NPN，PNP（耦合发射器）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	270 @ 200mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	180mV @ 50mA，1A
频率 - 跃迁	360MHz
功率 - 最大值	500mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	2A
电压 - 集射极击穿（最大值）	15V
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 SOT-23-5 细型，TSOT-23-5  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SOT-23-5 细型，TSOT-23-5  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-5 细型，TSOT-23-5  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-5 细型，TSOT-23-5   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TSMT5  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 TSMT5  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TSMT5  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TSMT5   晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 200mA，2V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 200mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 200mA，2V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 200mA，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 180mV @ 50mA，1A  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 180mV @ 50mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 180mV @ 50mA，1A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 180mV @ 50mA，1A   频率 - 跃迁 360MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 360MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 360MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 360MHz   功率 - 最大值 500mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 500mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 500mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2A  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2A   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V