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产品规格

封装/外壳	SC-74，SOT-457
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	SMT6
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	560 @ 10mA，3V
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	400mV @ 20mA，500mA
频率 - 跃迁	350MHz
功率 - 最大值	300mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	20V
关键词

产品资料

数据列表	IMX9
标准包装	1
其它名称	IMX9T110CT

封装/外壳 SC-74，SOT-457  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SC-74，SOT-457  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SC-74，SOT-457  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SC-74，SOT-457   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 SMT6  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SMT6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SMT6  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SMT6   晶体管类型 2 NPN（双）  Rohm Semiconductor 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 560 @ 10mA，3V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 560 @ 10mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 560 @ 10mA，3V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 560 @ 10mA，3V   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 20mA，500mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 20mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 20mA，500mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 20mA，500mA   频率 - 跃迁 350MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 350MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 350MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 350MHz   功率 - 最大值 300mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 300mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V