EMD30T2R,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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EMD30T2R - 

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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Rohm Semiconductor EMD30T2R
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
EMD30T2R
仓库库存编号:
EMD30T2RCT-ND
描述:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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EMD30T2R产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563,SOT-666  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  EMT6  
  晶体管类型  1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  30 @ 5mA,5V / 140 @ 100mA,2V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  500nA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 500μA,10mA / 300mV @ 2.5mA,50mA  
  频率 - 跃迁  250MHz,260MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  10k,1k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  10k  
  功率 - 最大值  150mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA,200mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V,30V  
关键词         

产品资料
数据列表 EMD30
标准包装 1
其它名称 EMD30T2RCT

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