关于我们 | 联系我们

库存查询

• 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。

产品规格

封装/外壳	TO-243AA
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	MPT3
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 500mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Power - Max	2W
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 100mA，4A
频率 - 跃迁	120MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	2SB1386T100QCT

封装/外壳 TO-243AA  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 MPT3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 MPT3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 MPT3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 MPT3   晶体管类型 PNP  Rohm Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，2V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，2V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V   Power - Max 2W  Rohm Semiconductor Power - Max 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 5A  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 100mA，4A  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 100mA，4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 100mA，4A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 100mA，4A   频率 - 跃迁 120MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 120MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 120MHz