UPA2660T1R-E2-AX,Renesas Electronics America,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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UPA2660T1R-E2-AX - 

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON

  • 非库存货
Renesas Electronics America UPA2660T1R-E2-AX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
UPA2660T1R-E2-AX
仓库库存编号:
UPA2660T1R-E2-AX-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 2.3W Surface Mount 6-HUSON (2x2)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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UPA2660T1R-E2-AX产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-WFDFN 裸露焊盘  
  制造商  Renesas Electronics America  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-HUSON(2x2)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  4.5nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  62 毫欧 @ 2A,4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  330pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平栅极,2.5V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  -  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  2.3W  
关键词         

产品资料
数据列表 UPA2660T1R
标准包装 3,000

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