RJP60D0DPM-00#T1,Renesas Electronics America,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

RJP60D0DPM-00#T1 - 

IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM

  • 如需报价、提交请求,请单击 此处。
  • 非库存货
Renesas Electronics America RJP60D0DPM-00#T1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
RJP60D0DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJP60D0DPM-00#T1-ND
描述:
IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

RJP60D0DPM-00#T1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-3PFM,SC-93-3  
  制造商  Renesas Electronics America  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-3PFM  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  40W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  45A  
  测试条件  300V,22A,5 欧姆,15V  
  开关能量  -  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.2V @ 15V,22A  
  25°C 时 Td(开/关)值  35ns/90ns  
  栅极电荷  45nC  
关键词         

产品资料
数据列表 RJP60D0DPM
RoHS指令信息 RoHS Compliance
标准包装 1
其它名称 RJP60D0DPM00T1

RJP60D0DPM-00#T1相关搜索

封装/外壳 TO-3PFM,SC-93-3  Renesas Electronics America 封装/外壳 TO-3PFM,SC-93-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3PFM,SC-93-3  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3PFM,SC-93-3   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 通孔  Renesas Electronics America 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C(TJ)  Renesas Electronics America 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Renesas Electronics America 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Renesas Electronics America 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3PFM  Renesas Electronics America 供应商器件封装 TO-3PFM  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PFM  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PFM   输入类型 标准  Renesas Electronics America 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Renesas Electronics America Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 40W  Renesas Electronics America Power - Max 40W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 40W  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 40W   Current - Collector (Ic) (Max) 45A  Renesas Electronics America Current - Collector (Ic) (Max) 45A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 45A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 45A   测试条件 300V,22A,5 欧姆,15V  Renesas Electronics America 测试条件 300V,22A,5 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,22A,5 欧姆,15V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,22A,5 欧姆,15V   开关能量 -  Renesas Electronics America 开关能量 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 -  Renesas Electronics America IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,22A  Renesas Electronics America 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,22A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,22A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,22A   25°C 时 Td(开/关)值 35ns/90ns  Renesas Electronics America 25°C 时 Td(开/关)值 35ns/90ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 35ns/90ns  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 35ns/90ns   栅极电荷 45nC  Renesas Electronics America 栅极电荷 45nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 45nC  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 45nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号