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产品规格

封装/外壳	20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）裸露焊盘
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	表面贴装
工作温度	175°C
系列	汽车级，AEC-Q101
包装	托盘
零件状态	在售
供应商器件封装	20-HSOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	43nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	20 毫欧 @ 10A，10V
FET 类型	3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	20A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2600pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平栅极，4.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	54W
关键词

产品资料

标准包装	700

封装/外壳 20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）裸露焊盘  Renesas Electronics America 封装/外壳 20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）裸露焊盘  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 20-SOIC（0.433"，11.00mm 宽）裸露焊盘   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 175°C  Renesas Electronics America 工作温度 175°C  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 175°C  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 175°C   系列 汽车级，AEC-Q101  Renesas Electronics America 系列 汽车级，AEC-Q101  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 托盘   Renesas Electronics America 包装 托盘   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 托盘   Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 托盘    零件状态 在售  Renesas Electronics America 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 20-HSOP  Renesas Electronics America 供应商器件封装 20-HSOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 20-HSOP  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 20-HSOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V  Renesas Electronics America 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 43nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 10A，10V  Renesas Electronics America 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 10A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 10A，10V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 10A，10V   FET 类型 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）  Renesas Electronics America FET 类型 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A  Renesas Electronics America 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 10V  Renesas Electronics America 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 10V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动  Renesas Electronics America FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Renesas Electronics America 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 60V  Renesas Electronics America 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 54W  Renesas Electronics America 功率 - 最大值 54W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 54W  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 54W