RJK6018DPK-00#T0,Renesas Electronics America,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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RJK6018DPK-00#T0
RJK6018DPK-00#T0 -
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
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非库存货
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制造商:
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
制造商产品编号:
RJK6018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6018DPK-00#T0-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 30A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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RJK6018DPK-00#T0产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
制造商
Renesas Electronics America
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-3P
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
92nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
235 毫欧 @ 15A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
30A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4100pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
200W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
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RJK6018DPK-00#T0
RoHS指令信息
RoHS Compliance
标准包装
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封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
Renesas Electronics America 封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
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Renesas Electronics America 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
制造商 Renesas Electronics America
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America
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安装类型 通孔
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工作温度 150°C(TJ)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-3P
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 92nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 235 毫欧 @ 15A,10V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V
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漏源电压(Vdss) 600V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
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