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RJK6018DPK-00#T0 - 

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

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Renesas Electronics America RJK6018DPK-00#T0
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制造商产品编号:
RJK6018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6018DPK-00#T0-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 30A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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RJK6018DPK-00#T0产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-3P-3,SC-65-3  
  制造商  Renesas Electronics America  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-3P  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  92nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  235 毫欧 @ 15A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  30A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  4100pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  -  
  功率耗散(最大值)  200W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 RJK6018DPK-00#T0
RoHS指令信息 RoHS Compliance
标准包装 1

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