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NTMS10P02R2 - 

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor NTMS10P02R2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NTMS10P02R2
仓库库存编号:
NTMS10P02R2OSCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 20V 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SOIC
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTMS10P02R2产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SOIC  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  70nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  14 毫欧 @ 10A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  2.5V,4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  8.8A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  3640pF @ 16V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.2V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  1.6W(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 NTMS10P02R2
标准包装 1
其它名称 NTMS10P02R2OSCT

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