NTMFD4C20NT3G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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NTMFD4C20NT3G - 

MOSFET 2N-CH 30V SO8FL

  • 非库存货
ON Semiconductor NTMFD4C20NT3G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NTMFD4C20NT3G
仓库库存编号:
NTMFD4C20NT3G-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTMFD4C20NT3G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-DFN(5x6) 双标记(SO8FL-双通道-非对称)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  9.3nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  7.3 毫欧 @ 10A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  9.1A,13.7A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  970pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.1V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  1.09W,1.15W  
关键词         

产品资料
数据列表 NTMFD4C20N
标准包装 5,000

NTMFD4C20NT3G相关搜索

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