NTMD6601NR2G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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NTMD6601NR2G - 

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor NTMD6601NR2G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NTMD6601NR2G
仓库库存编号:
NTMD6601NR2G-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTMD6601NR2G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SOIC  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  15nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  215 毫欧 @ 2.2A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  1.1A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  400pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  80V  
  功率 - 最大值  600mW  
关键词         

产品资料
数据列表 NTMD6601NR2G
标准包装 2,500

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