关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
制造商	On Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	μCool??
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	6-WDFN（2x2）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	3.7nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	65 毫欧 @ 3.8A，4.5V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.6A，2.3A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	271pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	710mW
关键词

产品资料

数据列表	NTLJD3119C
标准包装	1
其它名称	NTLJD3119CTAGOSCT

封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  ON Semiconductor 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 μCool??  ON Semiconductor 系列 μCool??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 μCool??  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 μCool??   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 6-WDFN（2x2）  ON Semiconductor 供应商器件封装 6-WDFN（2x2）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-WDFN（2x2）  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-WDFN（2x2）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.7nC @ 4.5V  ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.7nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.7nC @ 4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 3.7nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V  ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V   FET 类型 N 和 P 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A，2.3A  ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A，2.3A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A，2.3A  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A，2.3A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 271pF @ 10V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 271pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 271pF @ 10V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 271pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  ON Semiconductor FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 710mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 710mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 710mW  ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 710mW