NSVMUN5131T1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
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NSVMUN5131T1G - 

TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70

  • 非库存货
ON Semiconductor NSVMUN5131T1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NSVMUN5131T1G
仓库库存编号:
NSVMUN5131T1G-ND
描述:
TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NSVMUN5131T1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-70,SOT-323  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SC-70-3(SOT323)  
  晶体管类型  PNP - 预偏压  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  8 @ 5mA,10V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  202mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  500nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  250mV @ 5mA,10mA  
  频率 - 跃迁  -  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  2.2k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  2.2k  
关键词         

产品资料
数据列表 MUN(2,5)131, MMUN2131L, DTA123Exx, NSBA123EF3
标准包装 3,000

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