NGTG30N60FWG,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

NGTG30N60FWG - 

IGBT 600V 60A 167W TO247

ON Semiconductor NGTG30N60FWG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NGTG30N60FWG
仓库库存编号:
NGTG30N60FWGOS-ND
描述:
IGBT 600V 60A 167W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 600V 60A 167W Through Hole TO-247
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

NGTG30N60FWG产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  167W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  60A  
  测试条件  400V,30A,10 欧姆,15V  
  开关能量  650μJ(开),650μJ(关)  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  120A  
  IGBT 类型  沟道  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  1.7V @ 15V,30A  
  25°C 时 Td(开/关)值  81ns/190ns  
  栅极电荷  170nC  
关键词         

产品资料
数据列表 NGTG30N60FWG
标准包装 30
其它名称 NGTG30N60FWGOS

NGTG30N60FWG您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

NGTG30N60FWG相关搜索

封装/外壳 TO-247-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247   输入类型 标准  ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 167W  ON Semiconductor Power - Max 167W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 167W  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 167W   Current - Collector (Ic) (Max) 60A  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 60A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A   测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V  ON Semiconductor 测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V   开关能量 650μJ(开),650μJ(关)  ON Semiconductor 开关能量 650μJ(开),650μJ(关)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 650μJ(开),650μJ(关)  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 650μJ(开),650μJ(关)   Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A   IGBT 类型 沟道  ON Semiconductor IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.7V @ 15V,30A  ON Semiconductor 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.7V @ 15V,30A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.7V @ 15V,30A  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.7V @ 15V,30A   25°C 时 Td(开/关)值 81ns/190ns  ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 81ns/190ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 81ns/190ns  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 81ns/190ns   栅极电荷 170nC  ON Semiconductor 栅极电荷 170nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 170nC  ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 170nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号