MUN5113DW1T1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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MUN5113DW1T1G - 

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

ON Semiconductor MUN5113DW1T1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MUN5113DW1T1G
仓库库存编号:
MUN5113DW1T1GOSCT-ND
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MUN5113DW1T1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SC-88/SC70-6/SOT-363  
  晶体管类型  2 个 PNP 预偏压式(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  80 @ 5mA,10V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  500nA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  250mV @ 300μA,10mA  
  频率 - 跃迁  -  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  47k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  47k  
  功率 - 最大值  250mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 MUN5113DW1, NSBA144EDxx
标准包装 1
其它名称 MUN5113DW1T1GOSCT

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