MPS5179RLRAG,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MPS5179RLRAG - 

TRANSISTOR NPN RF BIPO 12V TO-92

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor MPS5179RLRAG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MPS5179RLRAG
仓库库存编号:
MPS5179RLRAG-ND
描述:
TRANSISTOR NPN RF BIPO 12V TO-92
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 200W Through Hole TO-92-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

MPS5179RLRAG产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -  
  系列  -  
  包装  带盒(TB)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-92-3  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  25 @ 3mA,1V  
  频率 - 跃迁  2GHz  
  功率 - 最大值  200W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  50mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  12V  
  增益  -  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  -  
关键词         

产品资料
数据列表 MPS5179
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 02/Jan/2007
标准包装 2,000

MPS5179RLRAG相关搜索

封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔   工作温度 -  ON Semiconductor 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带盒(TB)   ON Semiconductor 包装 带盒(TB)   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带盒(TB)   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带盒(TB)    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-92-3  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 3mA,1V  ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 3mA,1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 3mA,1V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 3mA,1V   频率 - 跃迁 2GHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 2GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 2GHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 2GHz   功率 - 最大值 200W  ON Semiconductor 功率 - 最大值 200W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200W   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V   增益 -  ON Semiconductor 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  ON Semiconductor 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号