MMPQ2222AR1,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MMPQ2222AR1 - 

TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor MMPQ2222AR1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MMPQ2222AR1
仓库库存编号:
MMPQ2222AR1OSCT-ND
描述:
TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 350MHz 1W Surface Mount 16-SOIC
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

MMPQ2222AR1产品属性


产品规格
  封装/外壳  16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  16-SOIC  
  晶体管类型  4 NPN(四路)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  100 @ 150mA,10V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  50nA(ICBO)  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  1V @ 50mA,500mA  
  频率 - 跃迁  350MHz  
  功率 - 最大值  1W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  500mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  40V  
关键词         

产品资料
数据列表 MMPQ2222A
标准包装 1
其它名称 MMPQ2222AR1OSCT

MMPQ2222AR1相关搜索

封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  ON Semiconductor 封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带(CT)   ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带(CT)   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带(CT)    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 16-SOIC  ON Semiconductor 供应商器件封装 16-SOIC  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC   晶体管类型 4 NPN(四路)  ON Semiconductor 晶体管类型 4 NPN(四路)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 NPN(四路)  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 NPN(四路)   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V  ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V   电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 50mA,500mA  ON Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 50mA,500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 50mA,500mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 50mA,500mA   频率 - 跃迁 350MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 350MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 350MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 350MHz   功率 - 最大值 1W  ON Semiconductor 功率 - 最大值 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1W  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1W   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 40V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿(最大值) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 40V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 40V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号