MMBV2101LT1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
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MMBV2101LT1G - 

DIODE TUNING SS 30V SOT23

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor MMBV2101LT1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MMBV2101LT1G
仓库库存编号:
MMBV2101LT1GOS-ND
描述:
DIODE TUNING SS 30V SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Varactor Single 30V Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MMBV2101LT1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-23-3(TO-236)  
  二极管类型  单一  
  不同?Vr,F 时的电容  7.5pF @ 4V,1MHz  
  电容比  3.2  
  电容比条件  C2/C30  
  不同 Vr,F 时的 Q 值  450 @ 4V,50MHz  
  Voltage - Peak Reverse (Max)  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 MMBV210xLT1, MV210x, LV2209
标准包装 3,000
其它名称 MMBV2101LT1GOS

MMBV2101LT1G相关搜索

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  ON Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 150°C(TJ)  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -   包装 带卷(TR)   ON Semiconductor 包装 带卷(TR)   二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 带卷(TR)   ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)  ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)   二极管类型 单一  ON Semiconductor 二极管类型 单一  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一   不同?Vr,F 时的电容 7.5pF @ 4V,1MHz  ON Semiconductor 不同?Vr,F 时的电容 7.5pF @ 4V,1MHz  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 7.5pF @ 4V,1MHz  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 7.5pF @ 4V,1MHz   电容比 3.2  ON Semiconductor 电容比 3.2  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 3.2  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 3.2   电容比条件 C2/C30  ON Semiconductor 电容比条件 C2/C30  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C2/C30  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C2/C30   不同 Vr,F 时的 Q 值 450 @ 4V,50MHz  ON Semiconductor 不同 Vr,F 时的 Q 值 450 @ 4V,50MHz  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 450 @ 4V,50MHz  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 450 @ 4V,50MHz   Voltage - Peak Reverse (Max) 30V  ON Semiconductor Voltage - Peak Reverse (Max) 30V  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 30V  ON Semiconductor 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 30V  
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