MCH6541-TL-E,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MCH6541-TL-E - 

TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH

ON Semiconductor MCH6541-TL-E
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MCH6541-TL-E
仓库库存编号：
MCH6541-TL-EOSCT-ND
描述：
TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 700mA 540MHZ, 520MHz 550mW Surface Mount 6-MCPH
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

MCH6541-TL-E产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-SMD，扁平引线  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-MCPH  
  晶体管类型  NPN，PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  300 @ 50mA，2V / 200 @ 10mA，2V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  190mV @ 10mA，200mA / 220mV @ 10mA，200mA  
  频率 - 跃迁  540MHZ，520MHz  
  功率 - 最大值  550mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  700mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 MCH6541
标准包装 1
其它名称 MCH6541-TL-EOSCT

MCH6541-TL-E您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

MCH6541-TL-E相关搜索

封装/外壳 6-SMD，扁平引线  ON Semiconductor 封装/外壳 6-SMD，扁平引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-SMD，扁平引线  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-SMD，扁平引线   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 6-MCPH  ON Semiconductor 供应商器件封装 6-MCPH  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 6-MCPH  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 6-MCPH   晶体管类型 NPN，PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 50mA，2V / 200 @ 10mA，2V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 50mA，2V / 200 @ 10mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 50mA，2V / 200 @ 10mA，2V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 50mA，2V / 200 @ 10mA，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 190mV @ 10mA，200mA / 220mV @ 10mA，200mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 190mV @ 10mA，200mA / 220mV @ 10mA，200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 190mV @ 10mA，200mA / 220mV @ 10mA，200mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 190mV @ 10mA，200mA / 220mV @ 10mA，200mA   频率 - 跃迁 540MHZ，520MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 540MHZ，520MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 540MHZ，520MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 540MHZ，520MHz   功率 - 最大值 550mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 550mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 550mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 550mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 700mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 700mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 700mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 700mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号