J111RLRPG,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - JFET
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

J111RLRPG - 

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor J111RLRPG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
J111RLRPG
仓库库存编号:
J111RLRPG-ND
描述:
JFET N-CH 35V 0.35W TO92
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

J111RLRPG产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -65°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-92-3  
  FET 类型  N 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  Power - Max  350mW  
  不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)  20mA @ 15V  
  不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)  3V @ 1μA  
  电压 - 击穿(V(BR)GSS)  35V  
  电阻 - RDS(开)  30 欧姆  
关键词         

产品资料
数据列表 J111, 12
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 21/Jun/2007
标准包装 2,000

J111RLRPG相关搜索

封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - JFET 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)  ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -   包装 带卷(TR)   ON Semiconductor 包装 带卷(TR)   晶体管 - JFET 包装 带卷(TR)   ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -   Power - Max 350mW  ON Semiconductor Power - Max 350mW  晶体管 - JFET Power - Max 350mW  ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 350mW   不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 20mA @ 15V  ON Semiconductor 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 20mA @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 20mA @ 15V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 20mA @ 15V   不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 3V @ 1μA  ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 3V @ 1μA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 3V @ 1μA  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 3V @ 1μA   电压 - 击穿(V(BR)GSS) 35V  ON Semiconductor 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 35V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 35V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 35V   电阻 - RDS(开) 30 欧姆  ON Semiconductor 电阻 - RDS(开) 30 欧姆  晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) 30 欧姆  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) 30 欧姆  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号