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CPH3462-TL-W - 

MOSFET N-CH 100V 1A CPH3

ON Semiconductor CPH3462-TL-W
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
CPH3462-TL-W
仓库库存编号:
CPH3462-TL-WOSCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 1A CPH3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CPH3462-TL-W产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  3-CPH  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  3.4nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  785 毫欧 @ 1A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  1A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  155pF @ 20V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.6V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  1W(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 CPH3462
标准包装 1
其它名称 CPH3462-TL-WOSCT

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