BC846BDW1T1G,ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BC846BDW1T1G - 

TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363

ON Semiconductor BC846BDW1T1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BC846BDW1T1G
仓库库存编号:
BC846BDW1T1GOSCT-ND
描述:
TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BC846BDW1T1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SC-88/SC70-6/SOT-363  
  晶体管类型  2 NPN(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  200 @ 2mA,5V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  15nA(ICBO)  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  600mV @ 5mA,100mA  
  频率 - 跃迁  100MHz  
  功率 - 最大值  380mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  65V  
关键词         

产品资料
数据列表 BC84(6, 7)BDW1T1, BC848CDW1T1
标准包装 1
其它名称 BC846BDW1T1GOSCT

BC846BDW1T1G您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

BC846BDW1T1G相关搜索

封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  ON Semiconductor 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 On Semiconductor   安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带(CT)   ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带(CT)   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363  ON Semiconductor 供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363   晶体管类型 2 NPN(双)  ON Semiconductor 晶体管类型 2 NPN(双)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN(双)  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN(双)   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V  ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V   电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 600mV @ 5mA,100mA  ON Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 600mV @ 5mA,100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 600mV @ 5mA,100mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 600mV @ 5mA,100mA   频率 - 跃迁 100MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 100MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 100MHz   功率 - 最大值 380mW  ON Semiconductor 功率 - 最大值 380mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 380mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 380mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  ON Semiconductor 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 65V  ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿(最大值) 65V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 65V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 65V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号