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产品规格

封装/外壳	3-SIP
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	125°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	3-SPA
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	160 @ 50mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15V
Power - Max	250mW
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	700mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	80mV @ 10mA，100mA
频率 - 跃迁	250MHz
关键词

产品资料

数据列表	2SD1012
标准包装	500

封装/外壳 3-SIP  ON Semiconductor 封装/外壳 3-SIP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-SIP  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-SIP   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 125°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 125°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 125°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 125°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   ON Semiconductor 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 3-SPA  ON Semiconductor 供应商器件封装 3-SPA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-SPA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-SPA   晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 50mA，2V  ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 50mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 50mA，2V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 50mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V   Power - Max 250mW  ON Semiconductor Power - Max 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 250mW  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 250mW   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 700mA  ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 700mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 700mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 700mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 80mV @ 10mA，100mA  ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 80mV @ 10mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 80mV @ 10mA，100mA  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 80mV @ 10mA，100mA   频率 - 跃迁 250MHz  ON Semiconductor 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz  ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz