关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商	On Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	135°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
FET 类型	N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7pF @ 15V
漏源电压（Vdss）	25V
Power - Max	310mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	1mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	500mV @ 10nA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	25V
电阻 - RDS（开）	-
关键词

产品资料

数据列表	2N5457, 5458
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 02/Jan/2007
标准包装	1,000
其它名称	2N5457GOS

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 制造商 On Semiconductor  晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 On Semiconductor   安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - JFET 安装类型 通孔  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 通孔   工作温度 135°C（TJ）  ON Semiconductor 工作温度 135°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 135°C（TJ）  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 135°C（TJ）   系列 -  ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -   包装 散装   ON Semiconductor 包装 散装   晶体管 - JFET 包装 散装   ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 散装    零件状态 过期  ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3   FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V  ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7pF @ 15V   漏源电压（Vdss） 25V  ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 25V  晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 25V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 25V   Power - Max 310mW  ON Semiconductor Power - Max 310mW  晶体管 - JFET Power - Max 310mW  ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 310mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1mA @ 15V  ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1mA @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1mA @ 15V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 1mA @ 15V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 500mV @ 10nA  ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 500mV @ 10nA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 500mV @ 10nA  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 500mV @ 10nA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  ON Semiconductor 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 25V   电阻 - RDS（开） -  ON Semiconductor 电阻 - RDS（开） -  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -  ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） -