PUML1,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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PUML1,115 - 

TRANS NPN PREBIAS/NPN 6TSSOP

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. PUML1,115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PUML1,115
仓库库存编号:
PUML1,115-ND
描述:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 6TSSOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 200mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PUML1,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  6-TSSOP  
  晶体管类型  1 NPN 预偏压式,1 NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  30 @ 5mA,5V / 210 @ 2mA,10V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  1μA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 10mA,100mA  
  频率 - 跃迁  230MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  10k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  10k  
  功率 - 最大值  300mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA,200mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 PUML1/DG
标准包装 3,000
其它名称 934062098115

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封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  NXP USA Inc. 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 带卷(TR)   NXP USA Inc. 包装 带卷(TR)   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷(TR)   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 6-TSSOP  NXP USA Inc. 供应商器件封装 6-TSSOP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 6-TSSOP  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 6-TSSOP   晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 NPN  NXP USA Inc. 晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 NPN  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式,1 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 5mA,5V / 210 @ 2mA,10V  NXP USA Inc. 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 5mA,5V / 210 @ 2mA,10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 5mA,5V / 210 @ 2mA,10V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 5mA,5V / 210 @ 2mA,10V   电流 - 集电极截止(最大值) 1μA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 10mA,100mA  NXP USA Inc. 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 10mA,100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 10mA,100mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 10mA,100mA   频率 - 跃迁 230MHz  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 230MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 230MHz  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 230MHz   电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k  NXP USA Inc. 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k   电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k  NXP USA Inc. 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k   功率 - 最大值 300mW  NXP USA Inc. 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA,200mA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA,200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA,200mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA,200mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  NXP USA Inc. 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  
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