PMN50XP,165,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

PMN50XP,165 - 

MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. PMN50XP,165
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PMN50XP,165
仓库库存编号:
PMN50XP,165-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 20V 4.8A(Tc) 2.2W(Tc) 6-TSOP
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

PMN50XP,165产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-74,SOT-457  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchMOS??  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  6-TSOP  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  10nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  60 毫欧 @ 2.8A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  2.5V,4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4.8A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1020pF @ 20V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  950mV @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  2.2W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 PMN50XP
标准包装 10,000
其它名称 934058528165
PMN50XP /T2
PMN50XP /T2-ND

PMN50XP,165相关搜索

封装/外壳 SC-74,SOT-457  NXP USA Inc. 封装/外壳 SC-74,SOT-457  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-74,SOT-457  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-74,SOT-457   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  NXP USA Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 TrenchMOS??  NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS??  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 TrenchMOS??   包装 带卷(TR)   NXP USA Inc. 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)   NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 6-TSOP  NXP USA Inc. 供应商器件封装 6-TSOP  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 6-TSOP  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 6-TSOP   技术 MOSFET(金属氧化物)  NXP USA Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±12V  NXP USA Inc. Vgs(最大值) ±12V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V  NXP USA Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 2.8A,4.5V  NXP USA Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 2.8A,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 2.8A,4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 2.8A,4.5V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V  NXP USA Inc. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V   FET 类型 P 沟道  NXP USA Inc. FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.8A(Tc)  NXP USA Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.8A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.8A(Tc)  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.8A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1020pF @ 20V  NXP USA Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1020pF @ 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1020pF @ 20V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1020pF @ 20V   FET 功能 -  NXP USA Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA  NXP USA Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA   功率耗散(最大值) 2.2W(Tc)  NXP USA Inc. 功率耗散(最大值) 2.2W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.2W(Tc)  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.2W(Tc)   漏源电压(Vdss) 20V  NXP USA Inc. 漏源电压(Vdss) 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号