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PHP21N06LT,127 - 

MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. PHP21N06LT,127
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PHP21N06LT,127
仓库库存编号:
PHP21N06LT,127-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 56W(Tc) TO-220AB
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PHP21N06LT,127产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  TrenchMOS??  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-220AB  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±15V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  9.4nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  70 毫欧 @ 10A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  19A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  650pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  56W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  55V  
关键词         

产品资料
数据列表 PHB,PHD,PHP21N06LT
标准包装 50
其它名称 934054560127
PHP21N06LT
PHP21N06LT-ND

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