MRFE6VP6300HSR3,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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MRFE6VP6300HSR3 - 

FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4

  • 不再生产的版本 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
NXP USA Inc. MRFE6VP6300HSR3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MRFE6VP6300HSR3
仓库库存编号:
MRFE6VP6300HSR3-ND
描述:
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780S-4
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MRFE6VP6300HSR3产品属性


产品规格
  封装/外壳  NI-780S-4  
  制造商  NXP USA Inc.  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  频率  230MHz  
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  NI-780S-4  
  电压 - 额定  130V  
  额定电流  -  
  晶体管类型  LDMOS(双)  
  电流 - 测试  100mA  
  增益  26.5dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  50V  
  功率 - 输出  300W  
关键词         

产品资料
数据列表 MRFE6VP6300H
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 06/Mar/2013
标准包装 250

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电话:400-900-3095
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